內(nèi)存電壓多少合適

內(nèi)存用主板1.5V電壓供電，1.35v的低壓內(nèi)存條是可以在1.5V電壓下工作的。用魯大師或cpu-z檢測出來的電壓仍然是1.35v，性能也能發(fā)揮完全，頻率也沒出問題，兩種內(nèi)存是可以混合使用的。不過畢竟是電壓不同的內(nèi)存，低壓內(nèi)存超電壓使用發(fā)熱比較大，容

內(nèi)存電壓多少合適？內(nèi)存電壓的大小決定了功耗的大小以及發(fā)熱量的大小，許多小伙伴不了解這方面，下面來介紹一下。

DDR3內(nèi)存電壓通常是1.5V，頻率有800 1066 1200 1333 1600 。 DDR3內(nèi)存在達到高帶寬的同時，其功耗反而可以降低，其核心工作電壓從DDR2的1.8V降至1.5V，相關(guān)數(shù)據(jù)預(yù)測DDR3將比現(xiàn)時DDR2節(jié)省30%的功耗，當然發(fā)熱量也不需要擔(dān)心。 就帶寬和功耗之間作

內(nèi)存的標準電壓：SDRAM 3.3伏, DDR 2.5伏 ， DDR2 1.8V, DDR3 1.5伏。如今有許多低電壓版本的內(nèi)存條，這一類型的內(nèi)存條多是1.35伏，

您的電腦主板支持1.35和1.5兩種電壓的內(nèi)存條。 根據(jù)截圖中內(nèi)存條規(guī)格顯示，您現(xiàn)在使用的是1.5v的內(nèi)存條。 1.35v屬于低壓版，那么在規(guī)格名字后面會帶有L這個字母，比如DDR3L

低壓版內(nèi)存工作電壓更低、功耗更小、發(fā)熱量也更少，但是性能與標準電壓版內(nèi)存是一樣的。本視頻由英特爾H81M-S1臺式電腦錄制。

阿斯加特（Asgard）阿扎賽爾DDR4 4000 8G X2內(nèi)存是一款4000高頻內(nèi)存，時序電壓為19-25-25-45-840-2T，電壓為1.4V，內(nèi)存顆粒為三星B Die，且是由人工篩選出的高頻顆粒所組成的內(nèi)存條。

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內(nèi)存的電壓分別是多少

內(nèi)存的標準電壓：SDRAM 3.3伏, DDR 2.5伏 ， DDR2 1.8V, DDR3 1.5伏

SDR，DDR，DDR2內(nèi)存的工作電壓分別是多少

1. SDRAM 每個時鐘周期傳遞一次數(shù)據(jù)，1次 8位  168線針腳  工作電壓為3.3V

2. DDR SDRAM 每個時鐘周期傳遞2次數(shù)據(jù)，每次 8位  184線針腳 工作電壓為2.5V

3. DDR II SDRAM 每個時鐘周期傳遞2次數(shù)據(jù)，每次 16位  240線針腳 工作電壓為1.8V

區(qū)分三種內(nèi)存的方法:

SDR的內(nèi)存好分辨，因為他是144腳，金手指的間距比較大，一眼就可以看出來，而且他的缺口靠中間部位！

DDR與DDR2的區(qū)別不明顯，但一般情況下DDR2的內(nèi)存顆粒為bga封裝，最主要的是他們的缺口位置不一樣，DDR2的比一代的要靠中間1MM，DDR的內(nèi)存在15MM處，DDR2的內(nèi)存在16MM處，而SDR的內(nèi)存在28MM處！

內(nèi)存條低電壓版和普通有什么區(qū)別？

一般情況下2根內(nèi)存可以組成雙通道，雙通道情況下性能要比單通同容量性能優(yōu)些。也就是2根4G的若組成雙通道內(nèi)存，則性能優(yōu)于單根8G的，但不能組成雙通，性能上并不占優(yōu)勢，且雙根的穩(wěn)定性比單根差一些。也就是說如果不能組成雙通的情況下，兩根內(nèi)存性能與單根同容內(nèi)存沒有區(qū)別，但穩(wěn)定性較差。2G內(nèi)存不一致時，高性能內(nèi)存還會降頻與低內(nèi)存相同，同時會帶來兼容性等問題。但基本上來說這樣討論已經(jīng)沒有意義了，因為幾乎所有的現(xiàn)在主板均支持雙通或三通，所以同型號兩根內(nèi)存只要插在雙通上都比單根性能要好。但為了擴展性，有些人會選用單根8G，目的就是一定時間之后會再加根8G同型號內(nèi)存組成雙通，但如果開始是2根4G的話要升級，這兩根內(nèi)存會閑置，浪費資源，所以還有不少人選用單根8G。

低電壓版本內(nèi)存與普通內(nèi)存的主要區(qū)別在于電壓上，早期臺機內(nèi)存電壓為3.3V,現(xiàn)在我們指的內(nèi)存電壓其實早已不是3.3V了，（部分兼容主板還存在3.3內(nèi)存的DIMM），內(nèi)存在DDR3之后，普通版電壓指的是1.5V,而低電壓版指的是1.35V。兩者在頻率上性能上均無差別。幾乎可以忽略。如果不追究性能的話不用考慮是普通還是低電壓的，而且DDR3的DIMM會自動調(diào)整。

1.5V電壓內(nèi)存天生體質(zhì)較好，適用于超頻，如果你是超頻玩家的話，1.5V電壓是你的選擇，而1.3V在超頻時不能過多增加電壓，所以超頻時較弱。同時，1.5V最適合組雙通道內(nèi)存。也就是說組雙通道時也可選用1.5V電壓的內(nèi)存。

1.35V被稱為低電壓，往往給人的感覺時電壓都低了，性能肯定也有所損失，事實上并非如此，第一兩者相差不大，如果認為電壓較低就做功少就大錯特錯了，在這個相差范圍內(nèi)，稍增加一下電流低電版使用電能可能比普通版多也未必不可。所以說低電壓版性能沒有下降。但確實比較省電，常用于超薄本等不超頻的環(huán)境中，當然這種節(jié)能是有一定代價的，低電壓版內(nèi)存比普通版稍貴一點。它在超頻上雖然體弱，但另一個優(yōu)勢確十分明顯——那就是組三通非常得利，換句話來說不少人組三通時選用低電版，組雙通時使用普通版。它與CPU不同，CPU的節(jié)電是降低了性能，比如，不帶U的CPU一般是35W左右的居多，性能強悍的居然到65W（臺機耗電水平—），而帶U的節(jié)能版，一般只有17W左右。兩者的懸殊可以看出U版CPU犧牲了很大的性能，所以U版CPU要比普通版CPU價格低。

所以，選擇內(nèi)存時應(yīng)當遵守以下規(guī)則：

1，超頻需求，普通版內(nèi)存，且頻率適中，體質(zhì)較好的。

2，雙通，普通版內(nèi)存

3，節(jié)電，低電版內(nèi)存

4，三通，低電版內(nèi)存

不要盲目追求高頻，如果主板不支持，頻率會降下來。同樣，高頻導(dǎo)致發(fā)熱量大，內(nèi)存體質(zhì)較差等情況的出現(xiàn)。要注意頻率與內(nèi)存時序及預(yù)充電時間等相互的配合，追求高參數(shù)可能只是給商家送錢花，而你還享受不了高參數(shù)。

適用為度，不要學(xué)人家還想超頻還想節(jié)能，這是典型的希望光干活不吃草的想法。最好不要有怪想法。

基本上都是這樣，一般情況下，如果不是發(fā)熱級玩家，沒有必要糾結(jié)這些，有人選單條8G低電版，說不定幾個月后人家還是再買一個單條8G低電去組雙通。有人使用單條8G普通版，人家可能是游戲本，追求的是高性能。如果有錢也可以使用雙條4G直接組雙通，不過哪天心血來潮想上16G時，這兩根4G條怕是要上淘寶二手。更不要好奇一根普通一根低電，那樣你的電腦不會啟動的！所以不要有太多糾結(jié)，主要是你想怎么干而已。

內(nèi)存條的兼容電壓是多少1.35還是1.5

普通內(nèi)存條的電壓是1.5V，多數(shù)用在臺式機中，而還有很多低電壓1.35V的內(nèi)存，多數(shù)用在筆記本中，不過這兩種內(nèi)存的應(yīng)用范疇并沒有固定，有些臺式機也用低電壓1.35V內(nèi)存，而不少筆記本依然在用1.5V的內(nèi)存條

DDR與DDR2內(nèi)存的電壓分別是多少?

　　DDR與DDR2內(nèi)存的電壓分別是2.5V和1.8V。

　　DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來的，仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系，因此對于內(nèi)存廠商而言，只需對制造普通SDRAM的設(shè)備稍加改進，即可實現(xiàn)DDR內(nèi)存的生產(chǎn)，可有效的降低成本。

　　有時候大家將老的存儲技術(shù) DDR 稱為 DDR1 ，使之與 DDR2 加以區(qū)分。盡管一般是使用 “DDR” ，但 DDR1 與 DDR 的含義相同。

　　DDR2 是 DDR SDRAM 內(nèi)存的第二代產(chǎn)品。它在 DDR 內(nèi)存技術(shù)的基礎(chǔ)上加以改進，從而其傳輸速度更快（可達 667MHZ ），耗電量更低，散熱性能更優(yōu)良 .

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