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存儲電子的能力小了，電容就小了
開斷速度。mos結電容大小越小開斷越快，響應越迅速，由此是影響開斷速度的。電容是指在給定電位差下自由電荷的儲藏量，國際單位是法拉。
從逆變橋輸出的高頻方波激勵信號從J2-1輸入,通過隔直電容C4及單刀雙擲開關S1后進入T1的初級,然后流經1:100電流互感器后從J2-2回流進逆變橋。在這里,C4單純作為隔直電容,不參與諧振,因此應選擇容量足夠大的無感無極性電容,這里選用CDE...
mos的結電容大小與頻率是有關的。因為電容與頻率是離不開的,關系應該是很密切的。大容量的電容對高頻的響應很差對低頻的響應卻好,而容量小的電容對低頻的響應很差而對高頻的響應卻非常好...
MOS電容的GATE電位是0V。金屬GATE和半導體BACKGATE在WORKFUNCTION上的差異在電介質上產生了一個小電場。在器件中，這個電場使金屬極帶輕微的正電位，P型硅負電位。這個電場把硅中底層的電子吸引到表面來，它同時把空穴排斥...
MOS電容和MIM電容都是屬于集成電路工藝制作的小電容，MIM電容結構是“金屬-電介質-金屬”，容量大些，MOS電容采用CMOS集成工藝。我覺得差別只是制造的工藝不同。http://www.ednchina.com/blog/xcbao/11153/message.aspxhttp...
fet場效應管mos是金屬—氧化物—半導體mosfet是金屬—氧化物—半導體場效應管mos結構就是采用金屬—氧化物—半導體場效應管構成的mos電容是通過一定接法把mos管用作電容。主要是在集成電路設計中使用。
只是電容的作用)，所以FET的柵極電流很小(電容的電流損耗)。最常見的FET在柵電極下使用一薄層二氧化硅作為絕緣體。這種晶體管被稱為金屬氧化物半導體(MOS)晶體管，或金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。
如果你的這個結論正確的話，那可以這樣來理解：第一次通電殘留了一些電荷，這些殘留的電荷會形成局部電場，當再次導通時，電場就會疊加，如果疊加后的電場超過了一定值，MOS管自然就會擊穿了...
2024/7/30
2024/7/30
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