ddr4主板不能插ddr3內(nèi)存條。因?yàn)镈DR4接口位置同時(shí)也發(fā)生了改變,金手指中間的“缺口”位置相比DDR3更為靠近中央。在金手指觸點(diǎn)數(shù)量方面,普通DDR4內(nèi)存有284個(gè),而DDR3則是240個(gè),每一個(gè)觸點(diǎn)的間距從1mm縮減到0.85mm。
DDR,又稱雙倍速率SDRAM 。Dual Data Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動(dòng)態(tài)隨即訪問(wèn)的內(nèi)存。美國(guó)JEDEC 的固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)于2000 年6 月公布了雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器(DDR SDRAM)規(guī)范,JESD79 由于它在時(shí)鐘觸發(fā)沿的上下沿都能進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸,所以即使在1333MHz的總線頻率下的帶寬也能達(dá)到2.128GB/s 。DDR 不支持3.3V 電壓的LVTTL ,而是支持2.5V 的SSTL2標(biāo)準(zhǔn),它仍然可以沿用現(xiàn)有SDRAM 的生產(chǎn)體系,制造成本比SDRAM 略高一些,但遠(yuǎn)小于Rambus的價(jià)格。DDR存儲(chǔ)器代表著未來(lái)能與Rambu 相抗衡的內(nèi)存發(fā)展的一個(gè)方向。
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