內(nèi)存條低電壓和標(biāo)準(zhǔn)電壓的區(qū)別如下:
一、指代不同
1、低壓版本:它具有體積小、容量大、速度快、功耗低、散熱性能好等特點(diǎn),采用優(yōu)質(zhì)元件和先進(jìn)技術(shù)。
2、標(biāo)壓版本:在總線模式下進(jìn)行讀寫(xiě)的組件。
二、特點(diǎn)不同
1、低壓版本:在相同容量的情況下,大內(nèi)存產(chǎn)生的熱量更少,這對(duì)移動(dòng)pc的穩(wěn)定性也很重要。
2、標(biāo)壓版本:使用支持2.5V的SSTL2標(biāo)準(zhǔn),而不是SDRAM使用的3.3VLVTTL標(biāo)準(zhǔn)。
三、技術(shù)不同
1、低壓版本:使指定地址、數(shù)據(jù)的輸送和輸出主要步驟既獨(dú)立執(zhí)行,而且與CPU完全相同。
2、標(biāo)壓版本:延遲鎖定環(huán)路提供了一種數(shù)據(jù)濾波信號(hào)技術(shù)。當(dāng)數(shù)據(jù)有效時(shí),存儲(chǔ)控制器可以使用該數(shù)據(jù)濾波信號(hào)精確定位數(shù)據(jù),每16次輸出一次,并重新同步來(lái)自不同存儲(chǔ)模塊的數(shù)據(jù)。
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