華為810處理器相當(dāng)于高通驍龍835處理器,驍龍835(一般指高通驍龍?zhí)幚砥鳎┦且豢钣?017年初由高通廠商研發(fā)的支持Quick Charge 4.0快速充電技術(shù)的手機(jī)處理器。
高通驍龍835芯片基于三星10nm制造工藝打造。10nm工藝相比14nm將使得芯片速度快27%,效率提升40%,高通驍龍835芯片面積將變得更小。
2016年10月,三星宣布率先在業(yè)界實(shí)現(xiàn)了10納米 FinFET工藝的量產(chǎn)。與其上一代14納米FinFET工藝相比,三星10納米工藝可以在減少高達(dá)30%的芯片尺寸的基礎(chǔ)上,同時(shí)實(shí)現(xiàn)性能提升27%或高達(dá)40%的功耗降低。通過采用10納米FinFET工藝,驍龍835處理器將具有更小的芯片尺寸,讓OEM廠商能夠在即將發(fā)布的產(chǎn)品中獲得更多可用空間,以支持更大的電池或更輕薄的設(shè)計(jì)。制程工藝的提升與更先進(jìn)的芯片設(shè)計(jì)相結(jié)合,預(yù)計(jì)將會(huì)提升電池續(xù)航。
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