5090顯卡什么時(shí)候出
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責(zé)編:洛辭桉
時(shí)間:2023-09-15 13:58:16
5090顯卡什么時(shí)候出
英偉達(dá)計(jì)劃在2024年年底前推出下一代旗艦級(jí)顯卡RTX 5090,將使用臺(tái)積電的3納米制程技術(shù)。根據(jù)外媒Hardwaretimes的報(bào)導(dǎo),英偉達(dá)下一代RTX顯卡系列代號(hào)為Blackwell,將在臺(tái)積電的3納米(N3)節(jié)點(diǎn)制程上生產(chǎn),內(nèi)含晶體管數(shù)量將超過(guò)150億個(gè),核心頻率將超過(guò)3Ghz,顯存帶寬則為512bits,流處理器將會(huì)達(dá)到1.8萬(wàn)個(gè)CUDA。
導(dǎo)讀英偉達(dá)計(jì)劃在2024年年底前推出下一代旗艦級(jí)顯卡RTX 5090,將使用臺(tái)積電的3納米制程技術(shù)。根據(jù)外媒Hardwaretimes的報(bào)導(dǎo),英偉達(dá)下一代RTX顯卡系列代號(hào)為Blackwell,將在臺(tái)積電的3納米(N3)節(jié)點(diǎn)制程上生產(chǎn),內(nèi)含晶體管數(shù)量將超過(guò)150億個(gè),核心頻率將超過(guò)3Ghz,顯存帶寬則為512bits,流處理器將會(huì)達(dá)到1.8萬(wàn)個(gè)CUDA。
英偉達(dá)計(jì)劃在2024年年底前推出下一代旗艦級(jí)顯卡RTX 5090,將使用臺(tái)積電的3納米制程技術(shù)。根據(jù)外媒Hardwaretimes的報(bào)導(dǎo),英偉達(dá)下一代RTX顯卡系列代號(hào)為Blackwell,將在臺(tái)積電的3納米(N3)節(jié)點(diǎn)制程上生產(chǎn),內(nèi)含晶體管數(shù)量將超過(guò)150億個(gè),核心頻率將超過(guò)3Ghz,顯存帶寬則為512bits,流處理器將會(huì)達(dá)到1.8萬(wàn)個(gè)CUDA。
拓展:RTX 5090采用什么工藝?
眾所周知,制程工藝對(duì)于芯片性能的提升至關(guān)重要。隨著工藝的不斷進(jìn)步,芯片的性能和能效得到了顯著提升,而RTX 5090采用的3nm工藝,將是一個(gè)重大的突破和進(jìn)步。3nm工藝相較于之前的工藝,具有更高的晶體管密度和更低的功耗。這意味著在相同的芯片面積下,能夠容納更多的晶體管,從而提供更強(qiáng)大的計(jì)算能力。此外,3nm工藝還能夠降低功耗,提升能效,為用戶提供更長(zhǎng)的續(xù)航時(shí)間和更穩(wěn)定的性能。
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5090顯卡什么時(shí)候出
英偉達(dá)計(jì)劃在2024年年底前推出下一代旗艦級(jí)顯卡RTX 5090,將使用臺(tái)積電的3納米制程技術(shù)。根據(jù)外媒Hardwaretimes的報(bào)導(dǎo),英偉達(dá)下一代RTX顯卡系列代號(hào)為Blackwell,將在臺(tái)積電的3納米(N3)節(jié)點(diǎn)制程上生產(chǎn),內(nèi)含晶體管數(shù)量將超過(guò)150億個(gè),核心頻率將超過(guò)3Ghz,顯存帶寬則為512bits,流處理器將會(huì)達(dá)到1.8萬(wàn)個(gè)CUDA。