霍爾傳感器原理

1、半導(dǎo)體薄片置于磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的磁場中，磁場方向垂直于薄片。當(dāng)有電流I流過薄片時，在垂直于電流和磁場的方向上將產(chǎn)生電動勢eh，這種現(xiàn)象稱為霍爾效應(yīng)，該電動勢稱為霍爾電勢，上述半導(dǎo)體薄片稱為霍爾元件。

2、原理簡述如下：激勵電流I從a、b端流入，磁場B由正上方作用于薄片，這時電子e的運(yùn)動方向與電流方向相反，將受到洛侖茲力FL的作用，向內(nèi)側(cè)偏移，該側(cè)形成電子的堆積，從而在薄片的c、d方向產(chǎn)生電場E。電子積累得越多，F(xiàn)E也越大，在半導(dǎo)體薄片c、d方向的端面之間建立的電動勢EH就是霍爾電勢。

3、由實(shí)驗(yàn)可知，流入激勵電流端的電流I越大、作用在薄片上的磁場強(qiáng)度B越強(qiáng)，霍爾電勢也就越高。磁場方向相反，霍爾電勢的方向也隨之改變，因此霍爾傳感器能用于測量靜態(tài)磁場或交變磁場。

聲明：本網(wǎng)頁內(nèi)容旨在傳播知識，若有侵權(quán)等問題請及時與本網(wǎng)聯(lián)系，我們將在第一時間刪除處理。TEL:177 7030 7066 E-MAIL:11247931@qq.com