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靜態(tài)存儲器和動態(tài)存儲器的區(qū)別

來源:懂視網(wǎng) 責(zé)編:小采 時間:2021-11-16 10:20:25
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靜態(tài)存儲器和動態(tài)存儲器的區(qū)別

靜態(tài)RAM(SRAM)速度非???,只要電源存在內(nèi)容就不會自動消失。其基本存儲電路為6個MOS管組成1位,因此集成度相對較低,功耗也較大。
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導(dǎo)讀靜態(tài)RAM(SRAM)速度非???,只要電源存在內(nèi)容就不會自動消失。其基本存儲電路為6個MOS管組成1位,因此集成度相對較低,功耗也較大。

靜態(tài)存儲器和動態(tài)存儲器的區(qū)別是:

  靜態(tài)RAM(SRAM)速度非???,只要電源存在內(nèi)容就不會自動消失。其基本存儲電路為6個MOS管組成1位,因此集成度相對較低,功耗也較大。一般高速緩沖存儲器用它組成。動態(tài)RAM(DRAM)的內(nèi)容在10-3或l0-6秒之后自動消失,因此必須周期性的在內(nèi)容消失之前進(jìn)行刷新。由于它的基本存儲電路由一個晶體管及一個電容組成,因此它的集成度高,成本較低,另外耗電也少,但它需要一個額外的刷新電路。DRAM運(yùn)行速度較慢,SRAM比DRAM要快2到5倍,一般,PC機(jī)的標(biāo)準(zhǔn)存儲器都采用DRAM組成。

  靜態(tài)存儲器依靠雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器的兩個穩(wěn)定狀態(tài)保存信息。每個 雙穩(wěn)態(tài)電路存儲一位 二進(jìn)制代碼0或1,一塊 存儲芯片上包含許多個這樣的雙穩(wěn)態(tài)電路。雙穩(wěn)態(tài)電路是有源器件,需要電源才能工作,只要電源正常,就能長期穩(wěn)定的保存信息,所以稱為靜態(tài)存儲器。如果斷電,信息將會丟失,屬于揮發(fā)性存儲器,或稱易失性。

  靜態(tài)存儲器在指定功能或應(yīng)用軟件之間共享的存儲器。如果一個或兩個應(yīng)用軟件占用了所有存儲器空間,此時將無法為其他應(yīng)用軟件分配存儲器空間。 例如,日歷、短信息和電話簿 (或通訊錄) 可能會共享移動設(shè)備中的動態(tài)存儲器。一般計(jì)算機(jī)系統(tǒng)使用的隨機(jī)存取內(nèi)存(RAM)可分動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)與靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(SRAM)兩種,差異在于DRAM需要由存儲器控制電路按一定周期對存儲器刷新,才能維系數(shù)據(jù)保存,SRAM的數(shù)據(jù)則不需要刷新過程,在上電期間,數(shù)據(jù)不會丟失。

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靜態(tài)存儲器和動態(tài)存儲器的區(qū)別

靜態(tài)RAM(SRAM)速度非???,只要電源存在內(nèi)容就不會自動消失。其基本存儲電路為6個MOS管組成1位,因此集成度相對較低,功耗也較大。
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標(biāo)簽: 動態(tài) it 存儲
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