gddr6與gddr5的區(qū)別

gddr6與gddr5的區(qū)別如下：

　　1、GDDR6顯存速度從GDDR5的12Gbps提升到了16Gbps，18Gbps產(chǎn)品也正在規(guī)劃中，顯存速度大幅提升。

　　2、GDDR6采用雙通道讀寫設(shè)計(jì)，而GDDR5X/5/4/3/2/1等版本，均為單通道。

　　3、GDDR6標(biāo)準(zhǔn)未來最高緩存容量可以達(dá)到32Gb，而GDDR5最常見的都是8Gb單顆粒。

　　4、GDDR6工作電壓，相比GDDR5有所降低，這意味著前者不僅性能更強(qiáng)，功耗還更低。

　　GDDR6的標(biāo)準(zhǔn)制定工作由JEDEC負(fù)責(zé)，而其中占據(jù)主導(dǎo)地位的還是AMD。事實(shí)上，GDDR系列顯存的發(fā)展一直都與AMD密切相關(guān)，從至今仍然廣泛使用的GDDR3，到曇花一現(xiàn)的GDDR4，再到大獲成功的GDDR5都是如此，下一代看起來依然由AMD領(lǐng)銜。不過單有AMD一家自然不夠，NVIDIA、Intel、高通、德州儀器、思科等等行業(yè)巨頭也會(huì)參與其中。

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