lpddr,即Low Power Double Data Rate SDRAM,是DDR SDRAM的一種,又稱為mDDR(Mobile DDR SDRAM),是美國JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)(JEDEC Solid State Technology Association)面向低功耗內(nèi)存而制定的通信標(biāo)準(zhǔn),以低功耗和小體積著稱,專門用于移動(dòng)式電子產(chǎn)品。
第二代低功耗內(nèi)存技術(shù)LPDDR2的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范于2010年12月由JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)正式發(fā)布。
第三代低功耗內(nèi)存技術(shù)LPDDR3的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范于2012年5月由JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)正式發(fā)布。
LPDDR3也一樣支持PoP堆疊封裝和獨(dú)立封裝,以滿足不同類型移動(dòng)設(shè)備的需要。LPDDR2的能效特性和信號(hào)界面都也得以延續(xù)。
除此之外,LPDDR3重點(diǎn)加入了新技術(shù): Write-Leveling and CA Training(寫入均衡與指令地址調(diào)馴):可讓內(nèi)存控制器補(bǔ)償信號(hào)偏差,確保內(nèi)存運(yùn)行于業(yè)內(nèi)最快輸入總線速度的同時(shí),維持?jǐn)?shù)據(jù)輸入設(shè)定、指令與地址輸入時(shí)序均滿足需求。On Die Termination(片內(nèi)終結(jié)器/ODT):可選技術(shù),為LPDDR3數(shù)據(jù)平面增加一個(gè)輕量級(jí)終結(jié)器,改進(jìn)高速信號(hào)傳輸,并盡可能降低對功耗、系統(tǒng)操作和針腳計(jì)數(shù)的影響。
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