nand flash和nor flash區(qū)別

NAND flash和NOR flash的區(qū)別在于NOR的讀速度比NAND稍快一些。NAND的寫入速度比NOR快很多。NAND的4ms擦除速度遠比NOR的5s快。大多數(shù)寫入操作需要先進行擦除操作。NAND的擦除單元更小，相應的擦除電路更少。

       NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲方案，這在不超過4GB的低容量應用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND正被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲技術，即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標就是降低每比特存儲成本、提高存儲容量。

　　EPROM是指其中的內(nèi)容可以通過特殊手段擦去，然后重新寫入。常采用浮空柵雪崩注入式MOS電路，簡稱為FAMOS。它與MOS電路相似，是在N型基片上生長出兩個高濃度的P型區(qū)，通過歐姆接觸分別引出源極S和漏極D。在源極和漏極之間有一個多晶硅柵極浮空在 絕緣層中，與四周無直接電氣聯(lián)接。這種電路以浮空柵極是否帶電來表示存1或者0，浮空柵極帶電后(例如負電荷)，就在其下面，源極和漏極之間感應出正的導電溝道，使MOS管導通，即表示存入0.若浮空柵極不帶電，則不能形成導電溝道，MOS管不導通，即存入1。

聲明：本網(wǎng)頁內(nèi)容旨在傳播知識，若有侵權等問題請及時與本網(wǎng)聯(lián)系，我們將在第一時間刪除處理。TEL:177 7030 7066 E-MAIL:11247931@qq.com