晶體生成的一般過程是先生成晶核,而后再逐漸長(zhǎng)大.一般認(rèn)為晶體從液相或氣相中的生長(zhǎng)有三個(gè)階段:①介質(zhì)達(dá)到過飽和、過冷卻階段;②成核階段;②生長(zhǎng)階段.在某種介質(zhì)體系中,過飽和、過冷卻狀態(tài)的出現(xiàn),并不意味著整個(gè)體系的同時(shí)結(jié)晶.體系內(nèi)...
晶體的生產(chǎn)過程通常是以一個(gè)雜質(zhì)或者說微晶作為結(jié)晶的中心點(diǎn)，然后向外逐漸加入晶體的溶質(zhì)慢慢生長(zhǎng)出來的。
以過飽和的NaCl溶液中NaCl晶體的形成過程為例:在過飽和的NaCl溶液中，有大量帶正、負(fù)電荷的Na+和Cl－離子。在一定的熱力學(xué)條件下，隨著溫度的逐漸降低，離子的動(dòng)能減小，Na+與Cl－離子間引力作用增大，相互結(jié)合首先形成線晶...
1.由氣相轉(zhuǎn)變?yōu)榫w當(dāng)某些氣體處于過飽和蒸氣壓或過冷卻溫度條件時(shí)，可直接轉(zhuǎn)變?yōu)榫w。從火山口噴發(fā)出來的含硫氣體通過凝華作用形成自然硫晶體；空氣中的水蒸氣在冬季玻璃窗上凝結(jié)成冰花，都是由氣相轉(zhuǎn)變?yōu)榫w的例子。自然...
焰熔法的工作原理是利用氫氧火焰產(chǎn)生的高溫，將振蕩器振動(dòng)所抖落的粉末材料加熱熔化，熔融的熔體落在支架頂端的籽晶上，隨著支架的緩慢下降，熔體逐漸結(jié)晶為梨形晶體（圖13-2）。其工藝過程為：原料提純→制備粉料→晶體生長(zhǎng)...
使肩部近似直角；然后，進(jìn)入等徑工藝，通過控制熱場(chǎng)溫度和晶體提升速度，生長(zhǎng)出一定直徑規(guī)格大小的單晶柱體；最后，待大部分硅溶液都已經(jīng)完成結(jié)晶時(shí)，再將晶體逐漸縮小而形成一個(gè)尾形錐體，稱為收尾工藝；這樣一個(gè)單晶拉制過程...
在液體中晶體的生長(zhǎng)，首先是由于溫度降低、溶液達(dá)到過飽和而產(chǎn)生晶芽;晶體的長(zhǎng)大過程，實(shí)質(zhì)上是溶液中的質(zhì)點(diǎn)向晶芽上粘附而使結(jié)晶格子逐漸擴(kuò)大的過程?？迫麪栠@樣來描述晶體長(zhǎng)大的過程:圖1－7為一正在生長(zhǎng)著的晶體，其上面的...
單晶渣蓋的制備過程一般包括化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積等工藝，要求制備出的薄膜具有均勻性、致密性和無(wú)缺陷等特性。目前，單晶渣蓋已廣泛應(yīng)用于各種半導(dǎo)體器件的制造過程中，如晶體管、集成電路、光電子器件等，是半導(dǎo)體工藝中...
因此所生長(zhǎng)的晶體的方向性是由籽晶所決定的，在其被拉出和冷卻后就生長(zhǎng)成了與籽晶內(nèi)部晶格方向相同的單晶硅棒。用直拉法生長(zhǎng)后，單晶棒將按適當(dāng)?shù)某叽邕M(jìn)行切割，然后進(jìn)行研磨，將凹凸的切痕磨掉，再用化學(xué)機(jī)械拋光工藝使...
沿某個(gè)晶面生長(zhǎng)，是指晶體在該晶面上沉積，實(shí)際生長(zhǎng)方向?yàn)樵摼娴姆ň€方向，最后形成晶體外形的晶面為生長(zhǎng)慢的晶面。
2024/12/26